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THz太赫茲晶體 筱曉上海光子

更新時(shí)間:2021-11-30      點(diǎn)擊次數:1507

一、太赫茲波

 

太赫茲(terahertz,THz)波是特指一段特殊波段的電磁輻射,狹義的太赫茲波一般是指頻率在0.1~10THz(1THz=1012Hz),波長(cháng)為0.03~3mm的電磁波,在電磁波譜中位于微波和紅外線(xiàn)波段之間。

 

而廣義的太赫茲波頻率范圍可包含整個(gè)中紅外和遠紅外波段,頻率最高可達100THz。由于太赫茲波在電磁波譜中的位置十分特殊,它處在電子學(xué)和光子學(xué)的交叉領(lǐng)域,所以既不*適合用經(jīng)典的光學(xué)理論來(lái)解釋?zhuān)膊?適合用電子微波理論來(lái)研究。

 

因此,以往在相當長(cháng)的一段時(shí)期內太赫茲波段被認為是電磁波譜中的“jin區”。目前THz科學(xué)已經(jīng)成為前沿的交叉學(xué)科。

 

 

太赫茲波在電磁波譜中的位置  

 

 

二,太赫茲波的特性

 

a)寬帶性:太赫茲的頻譜帶寬比微波高幾個(gè)數量級,頻譜范圍非常寬,是良好的信息載體,能夠覆蓋蛋白質(zhì)和du品等大分子的轉動(dòng)振蕩頻率,這些大分子都在太赫茲波段具有很強的吸收和諧振,構成了相應的太赫茲特征譜,可以用于成分識別。

b)高分辨性:太赫茲激光器的脈沖為皮秒量級,能夠達到很高的時(shí)間分辨率,可以用于生物樣本等對時(shí)間分辨率較高的研究中,空間分辨率高可用于高分辨成像;多普勒頻率高分辨可用于測速和目標探測。 

c)低能性:太赫茲的光子能量?jì)H為毫電子伏特,不到X射線(xiàn)光子能量的百分之一,不會(huì )產(chǎn)生電離效應破壞被檢測的物質(zhì)。 

d)電磁特性:太赫茲電磁波特性可以突破“黑障區”(等離子鞘套),可用于空間飛行器通信。 

e)穿透性:太赫茲輻射對非金屬穿透能力很強,對于日常所見(jiàn)的大部分介質(zhì),比如塑料、布料、陶瓷、紙張、木材、電介質(zhì)等均具有很強的穿透性,衰減系數比超聲波小2~3個(gè)數量級,但很難穿透金屬材質(zhì)和水,可以用于內部質(zhì)量檢測。

 

 

三、太赫茲波的應用

太赫茲波的*性能給通信、太赫茲成像、材料的研究和檢測、軍事等領(lǐng)域帶來(lái)重大的影響,使得太赫茲波的研究備受關(guān)注。

目前,太赫茲波應用的兩個(gè)關(guān)鍵技術(shù)分別是太赫茲成像技術(shù)和太赫茲波譜技術(shù)。對太赫茲成像技術(shù)的研究主要集中在遠距離探測和成像、檢測材料結構特征和內部信息上,它可以作為探針,對物質(zhì)內部波譜特性、化學(xué)成分、結構特征等進(jìn)行深入研究。

在生物醫學(xué)領(lǐng)域,DNA探測、太赫茲醫學(xué)應用、太赫茲生物化學(xué)應用以及藥物的分析和檢測等方面有著(zhù)強大的功效和應用前景,可以大大推動(dòng)醫療器械的改進(jìn)和藥物的研制和鑒定。

在環(huán)境科學(xué)方面,太赫茲輻射可以穿透煙霧,檢測到煙霧中的有毒氣體和粉塵,美國等發(fā)達國家已經(jīng)研制和應用太赫茲環(huán)境監控設備。

此外,太赫茲波在國防、返恐等方面有著(zhù)*的優(yōu)勢。利用太赫茲波譜可以快速、有效的檢查和識別du品,檢測飛機、火箭等重要設備的故障。太赫茲衛星太空成像和通信技術(shù)將成為日后大國關(guān)注的重要領(lǐng)域。

 

 

 

  太赫茲雷達和太赫茲通信的應用  

、太赫茲波的產(chǎn)生

太赫茲波產(chǎn)生的主要途徑有:半導體表面、偶極天線(xiàn)、光激發(fā)氣體激光、自由電子激光、量子級聯(lián)激光、以及非線(xiàn)性晶體的非線(xiàn)性轉換等方式。產(chǎn)生太赫茲波的設備都過(guò)于龐大而且昂貴,相比之下,基于紅外非線(xiàn)性晶體的頻率變換技術(shù)獲得的太赫茲輻射具有室溫運轉、調諧范圍寬、功率高、窄線(xiàn)寬輸出、體積小、重量輕、攜帶方便等優(yōu)點(diǎn)。

ZnTe(碲化鋅)晶體和GaSe(硒化鎵)晶體就是產(chǎn)生太赫茲光源的極為重要非線(xiàn)性晶體。

 

五、太赫茲晶體-ZnTe(碲化鋅)

ZnTe晶體是紅棕色晶體,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料,具有探測靈敏度高、探測帶寬寬、穩定性強等特點(diǎn),室溫下禁帶寬度約為 2.26 eV,具有立方閃鋅礦的結構。ZnTe 具有非常優(yōu)良的光電特性,在光電子學(xué)、自旋電子學(xué)等領(lǐng)域有巨大應用潛力,引起了人們的廣泛興趣。

碲化鋅單晶具有良好的相位匹配特性和電光特性,是常用的通過(guò)光整流效應生成THz輻射場(chǎng)的電光晶體。

 

 

 

  ZnTe晶體結構模型  

 

 

<110>晶向的ZnTe(碲化鋅)晶體常通過(guò)光學(xué)整流來(lái)產(chǎn)生太赫茲振蕩。光學(xué)整流效應是一種二階非線(xiàn)性效應,也是一種特殊的差頻效應。一定寬度的飛秒激光脈沖,擁有非常寬的頻率分量,這些分量間的相互作用(主要是差頻)將會(huì )產(chǎn)生從0到幾個(gè)太赫茲的電磁波。

 

 

ZnTe晶體  

 

 

 

太赫茲脈沖可通過(guò)另一個(gè)自由空間的<110>晶向ZnTe實(shí)現光電探測。太赫茲光脈沖會(huì )使ZnTe晶體產(chǎn)生雙折射,因此當太赫茲光脈沖和可見(jiàn)光脈沖同時(shí)在ZnTe晶體中直線(xiàn)傳播時(shí),可見(jiàn)光的偏振狀態(tài)將會(huì )因此發(fā)生變化。

 

使用λ/4波片,偏振分光體,以及平衡光電二極管,我們可以完成對可見(jiàn)光的偏振狀態(tài)的監控,從而得知太赫茲光脈沖的振幅,延遲等各種參數。而這種監測太赫茲光脈沖的完整電磁場(chǎng)信息(振幅和相位延遲)的能力,是時(shí)域太赫茲光譜儀*吸引力的特性之一。

 

公司ZnTe晶體與GaSe晶體同樣應用為:太赫茲時(shí)域系統、太赫茲源晶體、中遠紅外氣體探測、CO2激光的SHG、太赫茲成像。

 

公司ZnTe晶體接受客戶(hù)定制服務(wù),有多種尺寸可選,并為客戶(hù)導向解決方案。

 

  ZnTe晶體的透過(guò)率曲線(xiàn)  


 

  ZnTe晶體實(shí)驗室光路系統  


 

脈沖穿過(guò)2mm的ZnTe晶體及  

  對應的傅里葉光譜  

六、太赫茲晶體-GaSe(硒化鎵)

GaSe晶體是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點(diǎn)群。GaSe晶體層與層之間van der Waals力相結合。

由于這種弱力相互作用導致其極易沿層方向(0001)解離,解離后的自然表面非常平整光滑,無(wú)需進(jìn)一步的拋光處理既可以進(jìn)行測試或用于頻率轉換應用研究。對該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟,易碎。

GaSe晶體化學(xué)性能比較穩定,在室溫環(huán)境下可以存放2~2.5年,表面沒(méi)有明顯變化。

 

 

  GaSe晶體的透視圖和俯視圖  


 

 

 

 

 

  GaSe晶體  


 

可用于太赫茲波產(chǎn)生的  

 非線(xiàn)性晶體吸收系數  


 

GaSe晶體抗損傷閾值高,300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV,非線(xiàn)性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。

 

雖然GaSe晶體在太赫茲波段范圍內晶體的線(xiàn)性吸收系數較紅外波段大,但它仍然比其它幾種非線(xiàn)性光學(xué)晶體有很明顯的優(yōu)勢。

 

GaSe晶體的透過(guò)率曲線(xiàn) 

  GaSe晶體的透過(guò)率曲線(xiàn)  


GaSe晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過(guò)對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實(shí)現對太赫茲波的頻率可選擇性控制。

 

公司GaSe晶體與ZnTe晶體應用:太赫茲時(shí)域系統、太赫茲源晶體、中遠紅外氣體探測、CO2激光的SHG、太赫茲成像。

 

GaSe晶體與ZnTe晶體接受客戶(hù)定制服務(wù),有多種尺寸可選,并為客戶(hù)導向解決方案。

 

 

  GaSe晶體實(shí)驗室光路系統  


 

 

  GaSe晶體EOS測量及反演結果  

 

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