半導體可飽和吸收反射鏡(SESAM)介紹

更新時(shí)間：2021-12-14 點(diǎn)擊次數：4536

一、超快脈沖光纖激光器的應用及特點(diǎn)

超快脈沖光纖激光器最直接的應用就是作為超快光源，形成多種時(shí)間分辨光譜技術(shù)和泵浦/探測技術(shù)，作為飛秒固體激光放大器的種子光源，可用于光纖型光參量振蕩器與放大器系統，并可使用周期性極化鈮酸鋰(ppln)進(jìn)行高效倍頻或頻率轉換。

人們在研究光纖激光器的同時(shí)，也在不斷研究皮秒量級及更窄的超短脈沖激光器，超短脈沖光纖激光器由于具有寬的頻譜帶寬和很高的峰值功率，在光纖通信、激光精細加工、超快生物學(xué)、超快光學(xué)、超快光譜學(xué)等領(lǐng)域均有重要應用特別是在研究ICF快點(diǎn)火機制、等離子體診斷以及激光與等離子體相互作用等，都需要脈寬極窄、峰值功率*的超短激光脈沖。

因此，超短脈沖光纖激光器作為一種特殊的激光器，具有非常重要的研究?jì)r(jià)值和廣泛的應用領(lǐng)域。

由塊狀工作物質(zhì)及各種光學(xué)元件組成的傳統固體激光器存在體積大、質(zhì)量大、結構松、可靠性差等缺點(diǎn)。

而光纖激光器有以下特點(diǎn)：

1、增益介質(zhì)長(cháng)，能方便地延長(cháng)增益長(cháng)度使抽運光充分吸收，光-光轉換效率高；

2、光纖激光器表面積/體積比大，其工作物質(zhì)的熱負荷相當小，光纖中的場(chǎng)主要約束在纖芯內，使纖芯中的場(chǎng)強很大，加之光纖的低損耗又使這種高光強可以保持很長(cháng)距離，能產(chǎn)生甚高亮度和甚高峰值功率；

3、易實(shí)現單模、單頻運轉和超短脈沖；

4、光纖激光器體積小且結構簡(jiǎn)單，工作物質(zhì)為柔性介質(zhì)，使用方便；

5、激光器可在很寬光譜范圍內(455~3500nm)設計與運行，使光纖激光器可調。

由于光纖激光器具有以上特點(diǎn)，因此采用光纖作為振蕩器產(chǎn)生超短脈沖激光比傳統固體激光放大器更具優(yōu)勢。

二、基于SESAM被動(dòng)鎖模脈沖光纖激光器

獲得超短脈沖輸出的主要途徑有主動(dòng)鎖模和被動(dòng)鎖模。主動(dòng)鎖模光纖激光器雖然具有輸出激光波長(cháng)和重復頻率可調諧的優(yōu)點(diǎn)，但是其受到電器件響應頻率的限制，輸出激光的脈沖寬度只能達到ps量級，并且多數調制器的尺寸較大，對于光纖激光器來(lái)說(shuō)引入了非光纖器件，禍合損耗很大，另外這種主動(dòng)鎖模的光纖激光器容易受到外界環(huán)境的影響，如溫度變化、機械振動(dòng)引起腔內偏振態(tài)變化等，從而使輸出鎖模脈沖不穩定。

與主動(dòng)鎖模相比，被動(dòng)鎖模不需要其他任何有源器件，利用光纖中或者其他元件中的非線(xiàn)性效應等，可實(shí)現激光自啟動(dòng)鎖模，獲得比輸入脈沖更短的脈沖輸出。目前被動(dòng)鎖模光纖激光器主要利用可飽和吸收體、非線(xiàn)性光纖環(huán)形鏡、非線(xiàn)性偏振效應來(lái)實(shí)現。

可飽和吸收體是一種非線(xiàn)性介質(zhì)，隨著(zhù)光場(chǎng)強度的變化，其對激光的吸收會(huì )有所改變，當光場(chǎng)較弱時(shí)，飽和吸收體對光的吸收很強，隨著(zhù)光強的增大，吸收作用減弱，達到一定值時(shí)，吸收飽和，光全部透過(guò)。因此自發(fā)輻射的光信號在通過(guò)可飽和吸收體時(shí)，弱信號由于吸收作用而受到阻擋，不能通過(guò)，強尖峰信號的邊沿由于損耗而不斷削弱，因此光脈沖在通過(guò)飽和吸收體的過(guò)程中被窄化了，從而實(shí)現激光脈沖的自啟動(dòng)。

半導體材料具有*能級特性，在上個(gè)世紀90年代初發(fā)展出了半導體可飽和吸收體材料（SESA）。SESA的響應本質(zhì)上包含帶內和帶間兩個(gè)過(guò)程。電子在帶內的快速熱運動(dòng)有助于穩定超短脈沖，而緩慢的帶間復合則有助于激光器啟動(dòng)鎖模。

利用成熟的半導體工程技術(shù)，通過(guò)調整兩種運動(dòng)的相對程度和帶隙，可以使其具有極寬范圍的吸收波長(cháng)。半導體可飽和吸收反射鏡（SESAM）的基本結構是把反射鏡與可飽和吸收體結合在一起，即半導體可飽和吸收體用外延法直接生長(cháng)在半導體布拉格反射鏡上，其調制深度、飽和通量和非飽和損耗均可以通過(guò)結構設計加以調控。因此，SESAM是目前應用最為廣泛的鎖模器件。

下圖是基于SESAM的脈沖光纖激光器光路圖，此結構簡(jiǎn)單，無(wú)需種子源，易于實(shí)現。

基于SESAM的脈沖光纖激光器

三、半導體可飽和吸收鏡SESAM的微觀(guān)特性

1、能帶間隙即禁帶寬度。它決定半導體可飽和吸收體的吸收波長(cháng)，吸收系數一般在104/cm左右。以III-V族化合物半導體為例,吸收帶一般在可見(jiàn)光和近紅外波段。為了適應各種吸收波長(cháng)的需要，常常要用三元化合物半導體,如砷化鎵鋁(AlGaAs)，砷化銦鎵(InGaAs)，砷化銦鋁(InAlAs)等。

2、晶格常數。半導體可飽和吸收體一般是用外延法生長(cháng)在半導體襯底上的，襯底的晶格常數與要生長(cháng)的半導體化合物的晶格常數原則上應該相同，若不一致，則會(huì )在生長(cháng)層上造成一定應變(strain)，可分為壓縮型和擴張型。無(wú)論那種類(lèi)型的應變都會(huì )影響禁帶寬度，因而禁帶寬度的改變不是任意的，要受襯底晶格常數的制約。

3、量子阱。當吸收體薄到一定程度，并被夾在高禁帶寬度的材料中間，就變成了所謂量子阱。在設計半導體可飽和吸收體時(shí)，根據吸收能量的大小，可以采用體吸收，也可以采用量子阱結構。對于利用克爾效應鎖模的激光器，僅僅需要百之零點(diǎn)幾至百分之幾的吸收，所以可飽和吸收體的厚度只需要幾個(gè)nm。

4、時(shí)間特性。半導體可飽和吸收體之所以可以啟動(dòng)鎖模，是因為它的高速時(shí)間特性。一般來(lái)說(shuō)半導體的吸收有兩個(gè)特征弛豫時(shí)間，一是帶內子帶之間的熱化(intrabandthermalization)，二是帶間躍遷(interbandtransition)。帶內熱化是被激發(fā)到導帶的電子向子帶躍遷的物理過(guò)程，這個(gè)時(shí)間很短，在100-200fs左右，而帶間躍遷時(shí)間是電子從導帶向價(jià)帶的躍遷，相對較長(cháng)，從幾ps到幾百ps。

下圖列舉了用于1064nm光纖脈沖激光器的SESAM結構圖，右側是飽和吸收體結構。