光電探測器是將光輻射轉化為電量的一種元器件，被廣泛的應用于各行業(yè)當中。主要由量子效率、響應度、響應速度和本征帶寬、光電流，暗電流和噪聲等指標組成。它在光通信系統中實(shí)現將光轉變成電的作用，這主要是基于半導體材料的光生伏特效應，所謂的光生伏特效應是指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現象。
一、工作原理：
光電探測器的基本工作機理包括三個(gè)過(guò)程：
(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生；
(2)載流子擴散或漂移形成電流；
(3)光電流在放大電路中放大并轉換為電壓信號。當探測器表面有光照射時(shí)，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價(jià)帶電子可以躍遷到導帶形成光電流。
當光在半導體中傳輸時(shí)，光波的能量隨著(zhù)傳播會(huì )逐漸衰減，其原因是光子在半導體中產(chǎn)生了吸收。半導體對光子的吸收最主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過(guò)測試半導體的本征吸收光譜除了可以得到半導體的禁帶寬度等信息外，還可以用來(lái)分辨直接帶隙半導體和間接帶隙半導體。本征吸收導致材料的吸收系數通常比較高，由于半導體的能帶結構所以半導體具有連續的吸收譜。從吸收譜可以看出，當本征吸收開(kāi)始時(shí)，半導體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數，同時(shí)導致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。
該設備是激光測向技術(shù)的核心器件，常用的探測器主要包括：電流/電壓信號傳感器和圖像傳感器兩類(lèi)。電流/電壓信號傳感器是將光能量轉化為電流或電壓進(jìn)行處理，而圖像傳感器可將光能量進(jìn)行積分，再轉化為電信號進(jìn)行處理，二者都可以實(shí)現對角度的動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)測量。
