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超低分光比的光纖耦合器(SUL-FBT) 原理及測試

更新時(shí)間:2022-02-18      點(diǎn)擊次數:2292

超低分光比的光纖耦合器是以其極低的附加損耗,良好的穩定性,低廉的制作成本等優(yōu)點(diǎn)。主要應用于光纖激光器的光源監測,以及在光纖傳感領(lǐng)域中都有著(zhù)重要的應用。


超低分光比的光纖耦合器能從光束信號中分離出極少一部分光束到抽頭端口。本產(chǎn)品在功率50W下進(jìn)行測試。它主要用來(lái)監控超高功率光源信號,如光纖激光器的應用監控,以百分比來(lái)說(shuō),0.1%,0.01%或0.001%的低分光比情況。在光電探測器能在無(wú)損耗和非飽和狀態(tài)下進(jìn)行穩定而可靠的工作。


一、熔融拉錐光纖耦合器的原理


光纖耦合器是實(shí)現光信號功率在不同光纖間的分配或組合的光器件,利用不同光纖面緊鄰光纖芯區中導波能量的相互交換作用構成。熔融拉錐型光纖耦合器是將兩根(或者兩根以上)光纖去除涂覆層,兩根光纖緊貼靠攏,在高溫加熱下熔融,同時(shí)向兩側拉伸。在加熱區域光纖因拉伸的形變,纖芯變細,光纖的歸一化頻率逐步減小。單模光纖中傳播的基模導入熱熔拉伸區域,因模場(chǎng)直徑減小,利用光波導的理論,越來(lái)越多的光能進(jìn)入光纖的包層。在熱熔拉伸區域,兩根光纖的包層是合在一起的,且纖芯非??拷?,從而形成光波合結構。



耦合原理圖示




隨著(zhù)光纖經(jīng)過(guò)耦合區后,纖芯逐漸變粗,歸一化頻率增大,模場(chǎng)直徑增大,光功率從而又被限制在直通端和耦合端的光纖中,最終在兩個(gè)輸出端口輸出。通過(guò)控制耦合區的長(cháng)度,光纖的半徑,光纖之間的間距,光纖的包層以及折射率可以控制直通端和耦合端的光功率比值,從而制作出實(shí)際需求的耦合器。



二、光纖耦合器的特點(diǎn)


(1)超低的插入相關(guān)損耗:光纖耦合是一個(gè)低損耗過(guò)程從纖芯模到耦合模再到纖芯模的轉換過(guò)程中損耗很小或者可以達到?jīng)]有損耗,因此不得不說(shuō)損耗是通光一個(gè)短包層長(cháng)度所造成的。不過(guò),耦合器的插入損耗也要取決于產(chǎn)品的耦合比。

(2)無(wú)逆反射:光纖在耦合過(guò)程中并不會(huì )離開(kāi)光纖結構,所以它并不會(huì )經(jīng)過(guò)任何接口,因此耦合器本身并不會(huì )造成逆反射。

(3)便于連接操作:由于耦合器產(chǎn)品結構簡(jiǎn)單,并無(wú)有其他結構性的組件,相對來(lái)說(shuō)FBT能夠于傳輸光纖非常方便的進(jìn)行連接相融,而且損耗也非常低。




操作連接圖示






三、筱曉光子提供的熔融拉錐超低分光比的耦合器產(chǎn)品資料




我司自主研發(fā)并生產(chǎn)的熔融拉錐型超低分光比的耦合器,是用我司的ICPC-5000型拉錐平臺上制作完成的。以高精準的制作工藝能提供超低損耗的光纖信號通道,可以讓產(chǎn)品zui大化的光功率承載;并且有持續高返程是損耗比大于55dB,減少了光纖的反射功率,以超低分光比的特性實(shí)時(shí)監控了光纖激光器在工作中狀態(tài),讓信號監測處于一個(gè)穩定可靠的狀態(tài)中。




 產(chǎn)品特點(diǎn):

超低的插入相關(guān)損耗

高回程損耗

高承載功率

抽頭的比率高達40dB

適用于多種激光波長(cháng)的耦合器

可以根據實(shí)際需求定制




產(chǎn)品應用:


光纖激光器領(lǐng)域

拉曼放大器

高功率EDFA



熔融產(chǎn)品拉錐示意圖:



備注:紅圈內為可以看到耦合端口的功率比值,是可以達到0.01%分光比的。


產(chǎn)品技術(shù)參數:

參數名稱(chēng)
單位
性能指標
工作波長(cháng)
nm

1550或規定

工作帶寬
nm±10
分光比
%
0.1
0.01
0.001
插入損耗

dB

27~3336~4445~55
偏振相關(guān)損耗dB≤0.10
承載功率W
≤5
光纖拉力強調N
≤5
回波損耗dB≤55
方向性
dB≤55
工作溫度
-5~+75
存儲溫度
-40~+85
光纖長(cháng)度
m
≥1 or Customized
光纖類(lèi)型
/
SMF-28單模光纖
封裝規格

mm

¢3.0×540或¢3.0×54或定制

備注:

①以上參數均不包含連接頭,IL要增加0.30dB,每增加一個(gè)連接頭RL就會(huì )小5dB。

②以上參數提供的數據均為中心波長(cháng)測試的。


封裝規格:






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