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光電探測器基本參數介紹 - 筱曉小課堂

更新時(shí)間:2024-01-26      點(diǎn)擊次數:458

PIN型光電探測器

InGaAs(銦鎵砷)是探測器的材料類(lèi)型,不同的材料響應的光波段不同。下面列出幾種常見(jiàn)材料的典型工作波段。


硅:400~1100nm


銦鎵砷:800~1700nm


砷化銦:2.15~3.5um


碲鎘汞:2~12um


砷化稼:500~850nm               


它的工作波長(cháng)是800~1700nm,表明該探測器只對800~1700nm的光有響應,這要求您所要探測的光必須在該范圍內,否則就需要更換其他波段的材料。


工作帶寬,它表明了該款探測器能響應的光功率變化頻率。


以第一款為例(InGaAs單元探測器 100MHz-筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器 (microphotons.cn))它的帶寬是100MHz,那么它就可以響應光在100MHz以?xún)鹊恼{制信號,如果有大于100MHz的調制成分,那幾乎會(huì )全丟失,這在頻域上會(huì )更好理解。如果您探測的光是緩慢變化甚至是恒定的,沒(méi)有高動(dòng)態(tài)響應的需求,那這個(gè)參數就不需要考慮了。


響應度是描述探測器靈敏度的參量。


它代表探測器輸出信號和輸入信號的關(guān)系,一般分為電壓響應度RV和電流響應度RI。


如果產(chǎn)品沒(méi)有明確寫(xiě)出,看單位即可。比如本文例舉的這個(gè)產(chǎn)品,響應度0.95A/W@1550nm,明顯就是電流響應度。


它表明輸入的光功率和響應光電流的比值,至于為什么要專(zhuān)門(mén)表明是1550nm下的響應度,那是因為響應度本身就是波長(cháng)的函數,需要選擇一個(gè)波長(cháng)去比較。




跨阻增益


表示該款探測器還會(huì )對產(chǎn)生的光電流進(jìn)行跨阻放大,從而變成電壓信號,單位是V/A。




飽和光功率表示該款探測器能響應的最大功率


超過(guò)這個(gè)光功率值后,探測器的輸出信號不再隨著(zhù)輸入光功率的變大而變大,不再滿(mǎn)足之前定義的響應度了。以PD-100M-A為例,它的飽和光功率是140uW,響應度是0.95A/W,相乘得到飽和光電流是133uA,然后經(jīng)過(guò)30kV/A的跨阻增益,最終輸出的飽和電壓是3.99V。






NEP,用于表示探測器最小可探測的功率。


因為所有的探測器都是存在本底噪聲的,如果您輸入的光功率十分微弱,引發(fā)的光電流全被淹沒(méi)在噪聲里面,那么這個(gè)光功率認為是沒(méi)有探測到?,F在想象這么一種情況,我們逐漸增加輸入光功率,直到激發(fā)的電信號正好和噪聲齊平,再高一點(diǎn),就會(huì )超出本底噪聲顯現出來(lái)了。這個(gè)功率值,我們就定義為探測器的噪聲等效功率(Noise Equivalent Power,NEP)。




問(wèn)


現在我們看到PD-100M-A的NEP參數,5pW/sqrt(Hz)。噪聲等效功率的單位不應該是功率嗎?


問(wèn)


為什么會(huì )除以sqrt(Hz)?



實(shí)際上這里的NEP是歸一化的,它將原來(lái)的NEP再除以帶寬的平方根,才得到這個(gè)歸一化的NEP。所以我們直接將5pW/sqrt(Hz)×sqrt(100MHz),得到50nW,才是該探測器能探測到的最小光功率值。


輸出耦合方式,分為DC耦合和AC耦合兩種。


DC耦合可以理解為原始電壓信號直接輸出,AC耦合額外添加了直流電壓信號的過(guò)濾,只輸出交流信號。

剩下的一些通用器件參數,本文不再贅述。




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銦鎵砷 InGaAs 單元探測器 PD系列 800~1700nmhttp://www.microphotons。。cn/?a=cp3&id=212

銦鎵砷 InGaAs 高速放大型光電探測器 PDA系列 800-1700nm  http://www.microphotons。。cn/?a=cp3&id=827

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