半導體光電探測器是利用半導體材料的光電效應來(lái)接收和探測光信號的器件，它通過(guò)吸收光子產(chǎn)生電子-空穴對，從而在外電路產(chǎn)生與入射光強度成正比的光電流以方便測量入射光。它由于體積小，重量輕，響應速度快，靈敏度高，易于與其它半導體器件集成，是光源的理想探測器，可廣泛用于光通信、信號處理、傳感系統和測量系統。
光導型是根據光電導效應制成，即當光入射到半導體材料后，能改變其導電性能，且隨著(zhù)光強的增加，其導電性能增強。該類(lèi)型的主要器件有光敏電阻。光伏型是根據光生伏te效應制成，即當光照射PN結時(shí)，會(huì )使PN結兩端產(chǎn)生電勢差。該類(lèi)型的主要器件為光敏二極管、光敏晶體管等。
探測器的光譜響應是指不同波長(cháng)的光輻射照射到探測器光敏面時(shí)，探測器的響應率等特征參量隨光輻射波長(cháng)變化而變化的特性。通常將響應率下降到峰值的50%處所對應的波長(cháng)定義為截止波長(cháng)。有時(shí)也采用響應率降到10%處的波長(cháng)作為截至波長(cháng)。
光電探測器在光通信系統中實(shí)現將光轉變成電的作用，這主要是基于半導體材料的光生伏te效應，所謂的光生伏te效應是指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現象。光電導效應是指在光線(xiàn)作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過(guò)度到自由狀態(tài)，而引起材料電導率的變化的象。即當光照射到光電導體上時(shí)，若這個(gè)光電導體為本征半導體材料，且光輻射能量又足夠強，光電材料價(jià)帶上的電子將被激發(fā)到導帶上去，使光導體的電導率變大是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象，光子作用于光電導材料，形成本征吸收或雜質(zhì)吸收，產(chǎn)生附加的光生載流子，從而使半導體的電導率發(fā)生變化，產(chǎn)生光電導效應。
