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當前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品展示 > 半導體連續激光器 > VCSEL激光器 > V00145894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs
簡(jiǎn)要描述：894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs：以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。
產(chǎn)品型號：V00145廠(chǎng)商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2022-08-08訪(fǎng) 問(wèn) 量：1144相關(guān)文章
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| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組成要素 | 半導體激光器產(chǎn)品及設備 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
| 應用領(lǐng)域 | 化工,建材,電子 |
垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱(chēng)VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。有源區有量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作一個(gè)圓形出口，輸出激光。
技術(shù)參數
應用
原子鐘
磁力計
特點(diǎn):
包裝: 裸片
芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器
激光波長(cháng): 894.6 nm
輻射剖面: 單模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
最大額定值
Ta = 80°C
參數 | 符號 | 值 | |
操作/焊接溫度 DC = 100% | TS | 最小值 最大值 | -20°C 110°C |
儲存溫度 | Tstg | 最小值 最大值 | -40°C 125°C |
正向電流（保持單模） 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C | If | 最大值 | 1.5 mA |
正向電流 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C | If | 最大值 | 3 mA |
反向電壓 | 不適合反向操作 | ||
ESD 耐電壓 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A) | VESD | 最大值 | 250 V |
注意:超出絕對最大額定值范圍的應力可能會(huì )對設備造成損壞。
特點(diǎn)
Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3
參數 | 符號 | 值 | |
正向電流 | VF | 典型值 | 1.78 V |
輸出功率 | Φ | 典型值 | 0.3 mW |
閾值電流 | Ith | 典型值 | 0.61 mA |
斜率效能 | SE | 典型值 | 0.37 W / A |
單模抑制比 | SMSR | 最小值 | 20 dB |
偏振消光比5) | PER | 最小值 | 15 dB |
峰值波長(cháng) | λpeak-v | 最小值 典型值 最大值 | 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm |
光譜線(xiàn)寬度 | Λlinewidth | 最大值 | 100 MHz |
調頻調制帶寬 | Fm | 最小值 | 4.6 GHz |
波長(cháng)溫度系數 | TCλ | 典型值 | 0.06 nm / K |
半峰全寬處視場(chǎng)(50% of Φmax) | φx φY | 典型值 典型值 | 12° 12° |
1/e2處 視場(chǎng) | φx φY | 典型值 典型值 | 20° 20° |
注意:波長(cháng),輸出功率根據操作溫度和電壓的變化而變化。
相對光譜發(fā)射 1)
輻射特征 1)
正向電流 1) 2)
光輸出功率 1) 2)
尺寸圖 3)
垂直腔面發(fā)射激光器 (VCSEL)
型號:
生產(chǎn)商: VIXAR INC
2355 POLARIS AVE N. SUITE 100
Plymouth, MN 55447USA
制造: Bare Die by VIXAR
Fabricated or packaged by:
Vixar, Inc.
2355 POLARIS AVE N. SUITE 100
Plymouth, MN 55447, USA
晶片 #:
Mft Lot #:
生產(chǎn)日期:
數量:
符合FDACDRH21CFR 1040.10標準，1040.11除外
器械與放射健康中心 登記號:1210159-000
產(chǎn)品編號:95R--DW
包裝
根據操作模式的不同，這些設備發(fā)射出高度集中的可見(jiàn)光和非可見(jiàn)光，這可能對人眼有害。包含這些設備的產(chǎn)品必須遵循IEC 60825-1中給出的安全預防措施。
除其他物質(zhì)外，該裝置的子組件還含有金屬填充材料，包括銀。金屬填充材料可能會(huì )受到含有侵略性
物質(zhì)的環(huán)境影響。因此，我們建議客戶(hù)在存儲、生產(chǎn)和使用過(guò)程中盡量減少設備接觸腐蝕性物質(zhì)。當
使用上述試驗進(jìn)行試驗時(shí)，顯示出可見(jiàn)變色的裝置在規定的試驗持續時(shí)間內未顯示出故障限值范圍內
的性能偏差。
IEC60810中描述了相應的故障限值。
1) 典型值：由于半導體器件制造工藝的特殊條件，技術(shù)參數的典型數據或計算關(guān)聯(lián)只能反映統計數字。這些不一定對應于每個(gè)產(chǎn)品的實(shí)際參數，這些參數可能不同于典型值和計算相關(guān)或典型特征線(xiàn)。由于技術(shù)改進(jìn)，這些典型值數據將被更改，恕不另行通知。
2) 測試溫度: TA = 85°C ± 2°C
3) 尺寸公差:除非圖紙中另有說(shuō)明，公差以±0.1規定，尺寸以mm規定。
4) 波長(cháng):連續波長(cháng)測量，分辨率±0.1 nm。
5) 偏振: 在安裝或封裝引起的模具應力條件下，偏振消光比會(huì )降低。
描述 | 工作模式 | 訂購代碼 |
Group 1 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20 | Ta = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 1 |
Group 2 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20 | Ta = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 2 |
Group 3 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20 | Ta = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 3 |
Group 4 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20 | Ta = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 4 |
Group 5 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20 | Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 5 |
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