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簡(jiǎn)要描述:GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體型號 : THZ-GASE-5-5-1Z-cut:5 x 5 x 1mm
產(chǎn)品分類(lèi)
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GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點(diǎn)群,300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線(xiàn)性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過(guò)對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實(shí)現對THz波的頻率可選擇性控制。
注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟,易碎。
● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域
● 抗損傷閾值高
● 非線(xiàn)性系數大
● CO2激光的SHG
● 多種尺寸可選
● 客戶(hù)導向的解決方案
● 接受客戶(hù)定制服務(wù)
● 太赫茲時(shí)域系統
● 太赫茲源晶體
● 中遠紅外氣體探測
● CO2激光的SHG
● THZ實(shí)驗光源
● 太赫茲成像
GaSe晶體的透過(guò)率曲線(xiàn)
實(shí)驗室光路系統
EOS測量及反演結果
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