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簡(jiǎn)要描述：太赫茲碲化鋅晶體 20x20x0.5mmGaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點(diǎn)群，300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線(xiàn)性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。
產(chǎn)品型號：THZ-GASE-10-10-1廠(chǎng)商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2022-03-30訪(fǎng) 問(wèn) 量：690產(chǎn)品分類(lèi)
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| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應用領(lǐng)域 | 醫療衛生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源 | 晶體規格 | 10 x 10 x 1mm |
太赫茲碲化鋅晶體 20x20x0.5mm
GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點(diǎn)群，300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線(xiàn)性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過(guò)對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實(shí)現對THz波的頻率可選擇性控制。
注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟，易碎。
GaSe晶體的透過(guò)率曲線(xiàn)
實(shí)驗室光路系統
EOS測量及反演結果
● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域
● 抗損傷閾值高
● 非線(xiàn)性系數大
● CO2激光的SHG
● 多種尺寸可選
● 客戶(hù)導向的解決方案
● 接受客戶(hù)定制服務(wù)
● 太赫茲時(shí)域系統
● 太赫茲源晶體
● 中遠紅外氣體探測
● CO2激光的SHG
● THZ實(shí)驗光源
● 太赫茲成像
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