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簡(jiǎn)要描述：LIS 硫銦鋰 (LiInS2) NIR-IR近紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體的非線(xiàn)性特性與AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶體結構不同。LiInS2是一種熱釋電材料，其電光參數是將其用作有效電光材料的基礎。
產(chǎn)品型號：LiGaSe2-廠(chǎng)商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2024-05-24訪(fǎng) 問(wèn) 量：732相關(guān)文章
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| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類(lèi)別 | 光學(xué)元件 | 應用領(lǐng)域 | 綜合 |
| 透光率 | 0.35-13.2 |
| 名稱(chēng) | 型號 | |
|---|---|---|
| AGS 硫鎵銀 非線(xiàn)性光學(xué)晶體 AgGaS2 | AgGaS2 A80160205 | 透光率： µm 0.47 – 13 非線(xiàn)性系數： pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µm ； 對稱(chēng)度：四方晶系； -42m point group 晶胞參數：a=5.757； c=10.311； |
| GaSe 硒化鎵 NIR-IR近紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體 | GaSe G80010032 | 透光率0.62 – 20µm；非線(xiàn)性系數； pm/V ： d22 = 54 @10.6 µm；對稱(chēng)度：六方晶系； 6m2 point group；晶胞參數； ? a=3.74； c=15.89；離散角； ° 5.3 µm |
| AGSe 硒鎵銀（AgGaSe2）NIR-IR近紅外非線(xiàn)性晶體 | AgGaSe2 A80160206 | 透光率；0.76 – 18 µm；單軸負晶 no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no)；非線(xiàn)性系數； pm/V d36 = 39.5 @10；6 µm ；對稱(chēng)度 四方晶系； -42m point group |
| LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線(xiàn)性晶體 | LilnSe2 A80160201 | 透光率； 0.43– 13.2 µm；非線(xiàn)性系數； pm/V：d31=11.78； d24=8.17 @2.3 µm ；對稱(chēng)度：斜方（晶系）； mm2 point group ；晶胞參數； ? a=7.192； b=8.412； c=6.793 ；帶隙； eV：2.86；定向精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 546 nm λ/4 表面質(zhì)量； scratch/dig 30/20 |
| LGSe硒鎵鋰(LiGaSe2) NIR-IR近紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體 | LiGaSe2 A80160203 | 透光率； 0.37 – 13.2µm；帶隙； 3.57eV (300K)定位精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面質(zhì)量； scratch/dig 30/20 |
| LGS 硫鎵鋰 (LiGaS2) NIR-IR非線(xiàn)性光學(xué)晶體 | LiGaS2 A80160204 | 透光率； 0.33 – 11.6µm；帶隙；4.15 eV；定位精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面質(zhì)量； scratch/dig 30/20 |
硫銦鋰（LiInS2或LIS）晶體的非線(xiàn)性特性與AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶體結構不同。LiInS2是一種熱釋電材料，其電光參數是將其用作有效電光材料的基礎。
LIS 硫銦鋰 (LiInS2) NIR-IR近紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體,LIS 硫銦鋰 (LiInS2) NIR-IR近紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體主要特性
復合物 | LiInS2 | |
透光率, µm | 0.35– 13.2 | |
非線(xiàn)性系數, pm/V | d31=7.25, d24=5.66 @2.3 | |
對稱(chēng)度 | 斜方晶系, mm2 point group | |
晶胞參數, ? | a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 | |
典型反射系數 | 1064 nm 532 nm | nx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745 nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919 |
用于SHG的基頻
| x-y, Type II, eoe | 2.35–6.11 |
x-z, Type I, ooe | 1.78–8.22 | |
y-z, Type II, oeo | 2.35–2.67 | |
y-z Type II, oeo | 5.59–6.11 | |
總間隔時(shí)間 | 1.617–8.71 | |
光學(xué)損壞閾值, GW/cm2 | 1064 nm | 40 |
熱導率k, WM/M°C | kx=6.1 ± 0.3; ky=5.9 ± 0.3; kz=7.4 ± 0.3 | |
0.2透明度級別的遠紅外吸收邊緣 | 2.58 THz at 118 µm | |
光學(xué)元件參數
定向精度, arc min | < 30 | |
平行度, arc sec | < 30 | |
平面度 | 546 nm | λ/6 |
表面質(zhì)量, scratch/dig | 30/20 | |
應用
Ti: Sappire 激光泵浦的光學(xué)參量振蕩器（范圍 1 – 12 µm）
用于使用OPO的可調諧固態(tài)激光器，由Nd:YAG和其他1.2-10µm范圍內的激光器泵浦
中紅外(2-12µm)的差頻產(chǎn)生 ,
將CO2激光輻射圖像上轉換為近紅外或可見(jiàn)光區域•中紅外范圍（2-12µm）的不同頻率發(fā)生器
1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光學(xué)參量振蕩器席中紅外區頻率混頻
對于所有晶體，我們能夠為特定應用提供合適的防反射/保護涂層，以及反射率曲線(xiàn)。
公司簡(jiǎn)介
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司成立于2014年,是一家被上海市評為高新技術(shù)企業(yè)和擁有上海市專(zhuān)精特新企業(yè)稱(chēng)號的專(zhuān)業(yè)光學(xué)服務(wù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋設備代理以及項目合作研發(fā)，公司位于大虹橋商務(wù)板塊，擁有接近2000m2的辦公區域，建有500平先進(jìn)的AOL(Advanced Optical Labs)光學(xué)實(shí)驗室，為國內外客戶(hù)提供專(zhuān)業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。公司主要經(jīng)營(yíng)光學(xué)元件、激光光學(xué)測試設備、以及光學(xué)系統集成業(yè)務(wù)。十年來(lái),依托專(zhuān)業(yè)、強大的技術(shù)支持，以及良好的商務(wù)支持團隊，筱曉的業(yè)務(wù)范圍正在逐年增長(cháng)。目前業(yè)務(wù)覆蓋國內外各著(zhù)名高校、頂級科研機構及相關(guān)領(lǐng)域等諸多企事業(yè)單位。筱曉擁有一支核心的管理團隊以及專(zhuān)業(yè)的研發(fā)實(shí)驗室，奠定了我們在設備的拓展應用及自主研發(fā)領(lǐng)域堅實(shí)的基礎。
主要經(jīng)營(yíng)
激光器/光源
半導體激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子級聯(lián)激光器、FP激光器、VCSEL激光器）
氣體激光器（HENE激光器、氬離子激光器、氦鎘激光器）
光纖激光器（連續激光器、超短脈沖激光器）
光學(xué)元件
光纖光柵濾波器、光纖放大器、光學(xué)晶體、光纖隔離器/環(huán)形器、脈沖驅動(dòng)板、光纖耦合器、氣體吸收池、光纖準直器、光接收組件、激光控制驅動(dòng)器等各種無(wú)源器件
激光分析設備
高精度光譜分析儀、自相關(guān)儀、偏振分析儀，激光波長(cháng)計、紅外相機、光束質(zhì)量分析儀、紅外觀(guān)察鏡等
光纖處理設備
光纖拉錐機、裸光纖研磨機 。 
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