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簡(jiǎn)要描述：AGS 硫鎵銀 非線(xiàn)性光學(xué)晶體 AgGaS2是一種優(yōu)質(zhì)的紅外非線(xiàn)性晶體材料，具有三波非線(xiàn)性作用(OPO)的優(yōu)良性能。透光范圍為0.53-13um, AgGaS2晶體在550um處具有高透光性，具有廣泛的應用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半導體激光，鈦寶石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各種差頻, 覆蓋3-12um波
產(chǎn)品型號：AgGaS2-廠(chǎng)商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2024-05-24訪(fǎng) 問(wèn) 量：590相關(guān)文章
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| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類(lèi)別 | 光學(xué)元件 | 應用領(lǐng)域 | 綜合 |
| 參數 | 見(jiàn)參數表 |
| 名稱(chēng) | 型號 | |
|---|---|---|
| GaSe 硒化鎵 NIR-IR近紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體 | GaSe G80010032 | 透光率0.62 – 20µm；非線(xiàn)性系數； pm/V ： d22 = 54 @10.6 µm；對稱(chēng)度：六方晶系； 6m2 point group；晶胞參數； ? a=3.74； c=15.89；離散角； ° 5.3 µm |
| AGSe 硒鎵銀（AgGaSe2）NIR-IR近紅外非線(xiàn)性晶體 | AgGaSe2 A80160206 | 透光率；0.76 – 18 µm；單軸負晶 no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no)；非線(xiàn)性系數； pm/V d36 = 39.5 @10；6 µm ；對稱(chēng)度 四方晶系； -42m point group |
| LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線(xiàn)性晶體 | LilnSe2 A80160201 | 透光率； 0.43– 13.2 µm；非線(xiàn)性系數； pm/V：d31=11.78； d24=8.17 @2.3 µm ；對稱(chēng)度：斜方（晶系）； mm2 point group ；晶胞參數； ? a=7.192； b=8.412； c=6.793 ；帶隙； eV：2.86；定向精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 546 nm λ/4 表面質(zhì)量； scratch/dig 30/20 |
| LIS 硫銦鋰 (LiInS2) NIR-IR近紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體 | LiInS2 A80160202 | 透光率；0.35– 13.2 µm； 非線(xiàn)性系數； pm/V d31=7.25； d24=5.66 @2.3 ；對稱(chēng)度 斜方晶系； mm2 point group ；晶胞參數； ? a=6.893； b=8.0578； c=6.4816 ；定向精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/6 表面質(zhì)量； scratch/dig 30/20 |
| LGSe硒鎵鋰(LiGaSe2) NIR-IR近紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體 | LiGaSe2 A80160203 | 透光率； 0.37 – 13.2µm；帶隙； 3.57eV (300K)定位精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面質(zhì)量； scratch/dig 30/20 |
| LGS 硫鎵鋰 (LiGaS2) NIR-IR非線(xiàn)性光學(xué)晶體 | LiGaS2 A80160204 | 透光率； 0.33 – 11.6µm；帶隙；4.15 eV；定位精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面質(zhì)量； scratch/dig 30/20 |
AGS 硫鎵銀晶體(silver thiogallate硫沒(méi)食子酸銀)是一種優(yōu)質(zhì)的紅外非線(xiàn)性晶體材料，具有三波非線(xiàn)性作用(OPO)的優(yōu)良性能。透光范圍為0.53-13um, AgGaS2晶體在550um處具有高透光性，具有廣泛的應用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半導體激光，鈦寶石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各種差頻, 覆蓋3-12um波段，此外,還實(shí)用于定向紅外對抗系統(DIRCMS）和各種波長(cháng)CO2激光倍頻。AGS 硫鎵銀對中紅外激光的倍頻效率高,可用于光學(xué)參量放大和光學(xué)參量振蕩以及差頻產(chǎn)生，應用波長(cháng)可達到中紅外的17 µm。
AGS 硫鎵銀 非線(xiàn)性光學(xué)晶體 AgGaS2,AGS 硫鎵銀 非線(xiàn)性光學(xué)晶體 AgGaS2應用
中紅外輻射的高效倍頻
光學(xué)參量振蕩和放大，不同頻率產(chǎn)生到高達12µm的中紅外區域
各向同性點(diǎn)附近區域的光學(xué)窄帶濾波器 (0.4974 µm at 300 K)
主要參數
AgGaS2 | ||
透明度, µm | 0.47 – 13 | |
非線(xiàn)性參數, pm/V | d36 = 12.6 @ 10.6 µm | |
負單軸晶體 | no > ne (at λ < 0.497 μm ne > no) | |
對稱(chēng)性 | 四方晶系, -42m point group | |
晶胞參數, ? | a=5.757, c=10.311 | |
典型反射指數 | 10.6 µm | no=2.3475, ne=2.2918 |
光學(xué)損傷閾值, MW/cm2 |
| 350 |
離散角, ° | 5.3 µm | 0.76 |
熱導系數 k, WM/M°C | 1.5 | |
室溫帶隙, eV | Eg = 2.73 | |
在各向同性點(diǎn)的光活性 ρ = 522deg/mm | n0= ne, λ = 0.4974 μm | |
0.2透明度級別的遠紅外吸收邊緣 | 0.86 THz; 346 µm | |
光學(xué)元件參數
定位精度, arc min | < 30 | |
平行度, arc sec | < 30 | |
平整度 | 546 nm | λ/4 |
表面質(zhì)量, scratch/dig | 30/20 | |
可提供大/長(cháng)光學(xué)元件，請發(fā)送您的要求。
我們能夠根據客戶(hù)的規格提供合適的減反射/保護等涂層，可根據要求應用反射率曲線(xiàn)。
公司簡(jiǎn)介
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司成立于2014年,是一家被上海市評為高新技術(shù)企業(yè)和擁有上海市專(zhuān)精特新企業(yè)稱(chēng)號的專(zhuān)業(yè)光學(xué)服務(wù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋設備代理以及項目合作研發(fā)，公司位于大虹橋商務(wù)板塊，擁有接近2000m2的辦公區域，建有500平先進(jìn)的AOL(Advanced Optical Labs)光學(xué)實(shí)驗室，為國內外客戶(hù)提供專(zhuān)業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。公司主要經(jīng)營(yíng)光學(xué)元件、激光光學(xué)測試設備、以及光學(xué)系統集成業(yè)務(wù)。十年來(lái),依托專(zhuān)業(yè)、強大的技術(shù)支持，以及良好的商務(wù)支持團隊，筱曉的業(yè)務(wù)范圍正在逐年增長(cháng)。目前業(yè)務(wù)覆蓋國內外各著(zhù)名高校、頂級科研機構及相關(guān)領(lǐng)域等諸多企事業(yè)單位。筱曉擁有一支核心的管理團隊以及專(zhuān)業(yè)的研發(fā)實(shí)驗室，奠定了我們在設備的拓展應用及自主研發(fā)領(lǐng)域堅實(shí)的基礎。
主要經(jīng)營(yíng)
激光器/光源
半導體激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子級聯(lián)激光器、FP激光器、VCSEL激光器）
氣體激光器（HENE激光器、氬離子激光器、氦鎘激光器）
光纖激光器（連續激光器、超短脈沖激光器）
光學(xué)元件
光纖光柵濾波器、光纖放大器、光學(xué)晶體、光纖隔離器/環(huán)形器、脈沖驅動(dòng)板、光纖耦合器、氣體吸收池、光纖準直器、光接收組件、激光控制驅動(dòng)器等各種無(wú)源器件
激光分析設備
高精度光譜分析儀、自相關(guān)儀、偏振分析儀，激光波長(cháng)計、紅外相機、光束質(zhì)量分析儀、紅外觀(guān)察鏡等
光纖處理設備
光纖拉錐機、裸光纖研磨機 。 
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