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簡(jiǎn)要描述：CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器，用于射電天文學(xué)和量子物理應用。當冷卻至 12K 或更低時(shí)，該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內實(shí)現了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時(shí)的噪聲溫度為 2.5K。
產(chǎn)品型號：廠(chǎng)商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2022-09-05訪(fǎng) 問(wèn) 量：663產(chǎn)品分類(lèi)
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| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類(lèi)別 | 光學(xué)元件 | 應用領(lǐng)域 | 綜合 |
| 參數 | 見(jiàn)參數表 |
CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器
CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器，用于射電天文學(xué)和量子物理應用。當冷卻至 12K 或更低時(shí)，該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內實(shí)現了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時(shí)的zui低噪聲溫度為 2.5K。典型增益為 33dB，輸入/輸出回波損耗小于 -10dB。放大器是無(wú)條件穩定的。雖然放大器適合 0.01 GHz 至 4 GHz 的頻率范圍，但該放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 該放大器由單個(gè)正直流電源供電，最佳電壓為 2.0 V。此偏置下的功耗為 27 mW。然而，在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪聲溫度。低功耗非常適合以 4K 運行的多放大器陣列。 放大器為 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm，不包括連接器。輸入和輸出母頭 SMA 連接器。
主要特點(diǎn)
非常低的噪聲，在 10 MHz 至 4 GHz 范圍內平均為 4K。
由單個(gè)正直流電源供電。
以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪聲。
2 針 Winchester DC 連接器。
可選的直流偏置三通。
可選輸入保護二極管。
尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。
性能特點(diǎn)@12K
射頻頻率 0.01 至 4.0GHz
獲得
35dB±3dB
噪音溫度<4K
噪聲系數<0.06dB
最佳直流電源
Vd=2.0V
ID=13.6mA
12 K時(shí)的電氣規格
Description | Typical | Minimum | Maximum | |
RF Frequency 射頻頻率 | .03-5 GHz | 0.01 GHz | 4 GHz | |
Gain | 33 dB | 33 dB ± 3 dB | ||
Noise Temperature 噪聲溫度 | < 4 K | 2.5 K | 4 K | |
IRL (-20log|S11|) | -12 dB | < -10 dB | ||
ORL (-20log|S22|) | -15 dB | < -10 dB | ||
DC Voltage 直流電壓 | 2.0 V | 1.2 V | 3 V | |
DC Current | 13.6 mA | 2.7 mA | 27.4 mA | |
300 K時(shí)的電氣規格
Description | Typical | Minimum | Maximum | |
RF Frequency | .03-5 GHz | 0.01 GHz | 4 GHz | |
Gain | 30 dB | 30 dB ± 5 dB | ||
Noise Temperature | < 60K | 40 K | 74 K | |
IRL (-20log|S11|) | -10 dB | < -10 dB | ||
ORL (-20log|S22|) | -15 dB | < -10 dB | ||
DC Voltage | 2.0 V | 1.2 V | 3 V | |
DC Current | 14.6 mA | 5.4 mA | 27 mA | |
典型測試結果–12 K時(shí)的最佳直流偏壓
典型測試結果–12 K時(shí)的直流偏壓掃描
典型測試結果–12 K時(shí)的低頻噪聲
典型測試結果–12 K時(shí)的低頻S參數
典型測試結果–12 K時(shí)的直流偏壓掃描
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