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簡(jiǎn)要描述:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器低抖動(dòng)多功能數字延遲脈沖發(fā)生器
產(chǎn)品分類(lèi)
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品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區間 | 面議 |
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組成要素 | 半導體激光器產(chǎn)品及設備 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
應用領(lǐng)域 | 化工,建材,電子 |
DG645 是一款多功能數字延遲/脈沖發(fā)生器,可提供精確定義的脈沖,重復頻率高達 10 MHz。與舊設計相比,該儀器提供了多項改進(jìn)——更低的抖動(dòng)、更高的精度、更快的觸發(fā)速率和更多的輸出。DG645 還具有以太網(wǎng)、GPIB 和RS-232接口,用于儀器的計算機或網(wǎng)絡(luò )控制。
特點(diǎn)
·4脈沖,8延遲輸出(可選)
·<25 ps rms抖動(dòng)
·觸發(fā)頻率達10 MHz
·精密速率發(fā)生器
·輕松與同步
80 MHz鎖模激光器
·快速過(guò)渡時(shí)間
·卵形晶體或Rb時(shí)基(可選)
·以太網(wǎng)、GPIB和RS-232接口
延遲發(fā)生器定時(shí)
所有數字延遲發(fā)生器都通過(guò)計算快速時(shí)鐘(通常為100 MHz)的周期來(lái)測量時(shí)間間隔。大多數數字延遲發(fā)生器還具有較短的可編程模擬延遲,以實(shí)現比時(shí)鐘周期更精細的時(shí)間間隔。不幸的是,如果觸發(fā)與時(shí)鐘不同相,則可能會(huì )出現一個(gè)時(shí)序不確定性的時(shí)鐘周期(通常為10 ns)。
DG645 通過(guò)測量觸發(fā)相對于內部時(shí)鐘的時(shí)序并補償模擬延遲來(lái)消除時(shí)序不確定性。這種方法可將抖動(dòng)降低約100×并允許內部速率發(fā)生器以任何速率工作,而不僅僅是時(shí)鐘頻率的子倍數。
時(shí)序圖
觸發(fā)
DG645 具有多種觸發(fā)模式。周期抖動(dòng)小于 100 ps 的內部速率發(fā)生器可在 100 μHz 至 10 MHz 范圍內設置,分辨率為 1 μHz。具有可調閾值和斜率的外部觸發(fā)輸入可以觸發(fā)定時(shí)周期、突發(fā)周期或單次觸發(fā)。一鍵觸發(fā)單次射擊。線(xiàn)路觸發(fā)器與交流電源同步工作。
DG645 通過(guò)觸發(fā)抑制和預縮放功能支持許多復雜的觸發(fā)要求。
觸發(fā)器延遲設置連續觸發(fā)之間的最短時(shí)間。如果應用程序中的觸發(fā)事件產(chǎn)生顯著(zhù)的噪聲瞬變,在生成下一個(gè)觸發(fā)器之前需要時(shí)間衰減,這將非常有用。觸發(fā)保持也可用于以輸入觸發(fā)速率的子倍數觸發(fā)DG645。
觸發(fā)預縮放使DG645能夠以更快的信號源同步觸發(fā),但觸發(fā)頻率是原始觸發(fā)頻率的子倍數。例如,DG645 可以以 1 kHz 的頻率觸發(fā),但可以通過(guò)將觸發(fā)輸入預縮放 80,000 來(lái)與以 80 MHz 運行的鎖模激光器同步。此外,DG645還為每個(gè)前面板輸出包含一個(gè)單獨的預分頻器,使每個(gè)輸出能夠以觸發(fā)速率的子倍數運行。
前面板輸出
有五個(gè)前面板輸出:T0、AB、CD、EF 和 GH。The T0輸出在定時(shí)周期內置位。T的前緣0是零時(shí)間參考。編程延遲(A、B、C、D、E、F、G 和 H)設置為 0 s 至 2000 s,分辨率為 5 ps,以控制四個(gè)脈沖輸出的前沿和后沿的時(shí)序。
每個(gè)前面板輸出可以驅動(dòng) 50 Ω 負載,并具有 50 Ω源阻抗。輸出幅度可在 0.5 至 5.0 V 范圍內設置,輸出失調范圍可超過(guò) ±2 VDC,以提供幾乎任何邏輯電平(NIM、ECL、PECL、CMOS 等)。在任何輸出幅度下,輸出轉換時(shí)間均小于2 ns。
前面板輸出
后面板輸出
可選后面板輸出,支持各種應用。選項 1 提供 T05 V邏輯電平的輸出和8個(gè)編程延遲(A、B、C、D、E、F、G和H),轉換時(shí)間小于1 ns。選項2提供相同的輸出,但為30 V、100 ns脈沖,轉換時(shí)間小于5 ns,適用于高噪聲環(huán)境中的定時(shí)分配。選項 3 提供 8 個(gè)組合輸出,可在 5 V 邏輯電平下提供 1 至 4 個(gè)脈沖,轉換時(shí)間小于 1 ns。每個(gè)輸出具有 50 Ω源阻抗。
組合輸出
時(shí)基
標準時(shí)基的精度為 5 ppm,抖動(dòng)
標準時(shí)基延遲1 s的時(shí)序誤差可高達5 μs,OCXO時(shí)基的時(shí)序誤差為200 ns,但銣時(shí)基的時(shí)序誤差僅為500 ps(校準后一年)。
對于短延遲,抖動(dòng)通常為 20 ps。但是,對于 1 s 延遲,標準時(shí)基可以貢獻高達 10 ns 的額外抖動(dòng),而可選時(shí)基貢獻的額外抖動(dòng)不到 10 ps。
時(shí)序誤差與延遲
快速上升時(shí)間模塊
DG645 前面板輸出的轉換時(shí)間小于 2 ns。SRD1 是一個(gè)內置于直插式 BNC 連接器中的附件,可將前面板輸出的上升時(shí)間縮短到 100 ps 以下。前面板最多可連接五個(gè) SRD1,以減少所有輸出的上升時(shí)間。
抖動(dòng)與延遲
規格:
DG645 規格 | |
延遲 | |
頻道 | 4 個(gè)獨立脈沖控制位置和寬度。8 個(gè)延遲通道可供選擇。 (見(jiàn)下面的輸出選項) |
范圍 | 0 到 2000 秒 |
分辨度 | 5 皮秒 |
準確性 | 1 ns + (時(shí)基誤差 × 延遲) |
抖動(dòng) (rms) 分機。觸發(fā)。到任何輸出 ( Ext. trig. to any output) T0到任何輸出 | 25 ps + (時(shí)基抖動(dòng) × 延遲) |
觸發(fā)延遲 | 85 ns(外部觸發(fā)到 T 0輸出) |
時(shí)基 (Timebases) | |
標準 | |
抖動(dòng) Jitter | 10 -8s/s |
穩定性 Stability | 2 x 10 -6 (20 °C 至 30 °C) |
老化 Aging | 5 (ppm/yr) |
Opt. 4 OCXO | |
抖動(dòng) | 10 -11s/s |
穩定 | 2 x 10 -9 (20 °C 至 30 °C) |
老化 | 0.2 ppm/年 |
Opt. 5 Rubidium(銣) | |
抖動(dòng) | 10 -11s/s |
穩定 | 2 x 10 -10(20 °C 至 30 °C) |
老化 | 0.0005 ppm/yr |
外部輸入 | 10 MHz ± 10 ppm,正弦 >0.5 Vpp, 1 kΩ 阻抗 |
輸出 | 10 MHz,2 Vpp 輸入 50 Ω |
外部觸發(fā)器 | |
Rate | DC 至 1/(100 ns + 最長(cháng)延遲) 最大10 MHz |
臨界點(diǎn) | ±3.50 VDC |
坡 Slope | 在上升沿或下降沿觸發(fā) |
阻抗 | 1 MΩ + 15 pF |
內部速率發(fā)生器(Internal Rate Generator) | |
觸發(fā)模式 | Continuous, line or single shot |
速度 | 100 uHz 至 10 MHz |
解析度 | 1 µHz |
準確性 | 與時(shí)基相同 |
抖動(dòng) (rms 有效值) | <25 ps(10 MHz/N 觸發(fā)率) <100 ps(其他觸發(fā)率) |
突發(fā)發(fā)生器 | |
Trigger to first T0 范圍(Range) 分辨率 | 0 到 2000 秒 5 ps |
脈沖之間的周期 范圍 分辨率 | 100 ns 至 42.9 s 10 ns |
每個(gè)突發(fā)的延遲周期 | 1 至 2 32 - 1 |
輸出(T 0、AB、CD、EF 和 GH) | |
源阻抗 | 50Ω |
過(guò)渡時(shí)間 | <2 納秒 |
過(guò)沖 | <100 mV + 10 % 的脈沖幅度 |
抵消 | ±2V |
振幅 | 0.5 至 5.0 V(電平 + 偏移<6.0 V) |
準確性 | 100 mV + 5 % 脈沖幅度 |
常規 | |
計算機接口 | GPIB (IEEE-488.2)、RS-232 和以太網(wǎng)。所有儀器功能都可以通過(guò)接口進(jìn)行控制。 |
非易失性存儲器 | 可以存儲和調用九組儀器配置。 |
Power | <100 W,90 至 264 VAC,47 Hz 至 63 Hz |
尺寸 | 8.5" × 3.5" × 13" (WHL) |
重量 | 9 lbs. |
保修 | 一年零件和人工材料和工藝缺陷 |
輸出選項 | |
選項 1(延遲輸出) | |
輸出數量 | 8 個(gè)(后面板 BNC) |
輸出 | T 0 , A, B, C, D, E, F, G 和 H |
源阻抗 | 50Ω |
過(guò)渡時(shí)間 | <1 納秒 |
過(guò)沖 | <100 毫伏 |
等級 | +5 V CMOS 邏輯 |
脈沖特性 上升沿 下降沿 | At programmed delay 25 ns after longest delay |
選項 2(高壓輸出) | |
輸出數量 | 8 個(gè)(后面板 BNC) |
輸出 | T 0 , A, B, C, D, E, F, G 和 H |
源阻抗 | 50Ω |
過(guò)渡時(shí)間 | <5 納秒 |
級別 | 0 至 30 V 進(jìn)入高阻抗,0 至 15 V 進(jìn)入 50 Ω(幅度降低 1 %/kHz) |
脈沖特性 上升沿 下降沿 | At programmed delay 100 ns after the rising edge |
選項 3(組合輸出) | |
輸出數量 | 8 個(gè)(后面板 BNC) |
輸出 | T 0 , AB, CD, EF, GH, (AB+CD), (EF+GH), (AB+CD+EF), (AB+CD+EF+GH) |
源阻抗 | 50Ω |
過(guò)渡時(shí)間 | <1 納秒 |
過(guò)沖 | <100 mV + 10 % 的脈沖幅度 |
脈沖特性 | |
T 0 , AB, CD, EF, GH | 延遲之間的時(shí)間邏輯高(Logic high for time between delays) |
(AB+CD), (EF+GH) | 由給定通道的邏輯OR產(chǎn)生的兩個(gè)脈沖 |
(AB+CD+EF) | 由給定通道的邏輯OR產(chǎn)生的三個(gè)脈沖 |
(AB+CD+EF+GH) | 由給定通道的邏輯OR產(chǎn)生的四個(gè)脈沖 |
選項 SRD1(快速上升時(shí)間模塊) | |
上升時(shí)間 | <100 皮秒 |
秋季時(shí)間 | <3 納秒 |
抵消 | -0.8 V 至 -1.1 V |
振幅 | 0.5V 至 5.0V |
加載 | 50Ω |
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