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光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW

簡(jiǎn)要描述:光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間:2023-06-05
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:561

詳細介紹

品牌其他品牌價(jià)格區間面議
組成要素半導體激光器產(chǎn)品及設備產(chǎn)地類(lèi)別進(jìn)口
應用領(lǐng)域化工,建材,電子
總覽

Superluminescent Diodes (SLD) 超輻射發(fā)光二極管 是介于激光器(LD)和發(fā)光二極管(LED)之間的一種半導體光電器件,與激光二極管類(lèi)似,超輻射發(fā)光二極管基于電驅動(dòng)pn結,當正向偏置時(shí),該pn結具有光學(xué)活性,并在寬波長(cháng)范圍內產(chǎn)生放大的自發(fā)發(fā)射。SLD的峰值波長(cháng)和強度取決于活性材料成分和注入電流水平。SLD被設計為對沿著(zhù)波導產(chǎn)生的自發(fā)發(fā)射具有高的單程放大,但與激光二極管不同,反饋不足以實(shí)現激光作用。這是通過(guò)傾斜波導和防反射涂層刻面的共同作用非常成功地獲得的。

SLD是具有相當寬的光學(xué)帶寬的光源。它們不同于光譜非常窄的激光器和光譜寬度大得多的白色光源。這種特性主要反映在光源的低時(shí)間相干性上(這是發(fā)射的光波隨時(shí)間保持相位的有限能力)。然而,SLD可能表現出高度的空間相干性,這意味著(zhù)它們可以有效地耦合到單模光纖中。一些應用利用SLD源的低時(shí)間相干性來(lái)實(shí)現成像技術(shù)中的高空間分辨率。相干長(cháng)度是一個(gè)經(jīng)常用來(lái)表征光源的時(shí)間相干的量。它與光學(xué)干涉儀兩臂之間的路徑差有關(guān),在該干涉儀上光波仍然能夠產(chǎn)生干涉圖案。

一方面,SLD是經(jīng)過(guò)優(yōu)化以產(chǎn)生大量放大自發(fā)發(fā)射(ASE)的半導體器件。為了做到這一點(diǎn),它們結合了高功率增益部分,其中以30dB或更高的高增益因子放大種子自發(fā)發(fā)射。另一方面,SLD缺乏光學(xué)反饋,因此不可能發(fā)生激光作用。通過(guò)使小面相對于波導傾斜來(lái)抑制從光學(xué)部件(例如連接器)到腔中的光的背反射產(chǎn)生的光學(xué)反饋,并且可以通過(guò)抗反射涂層來(lái)進(jìn)一步抑制。避免了共振器模式的形成,從而避免了光譜中明顯的結構和/或光譜變窄。


光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW,光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW
型號參數

產(chǎn)品特點(diǎn):

超寬帶ASE光譜(950-1050nm)

低紋波

強偏振

單獨老化和熱循環(huán)篩選

符合RoHS


應用:

光纖傳感器

儀器儀表

光譜學(xué)


規格

測試條件:連續工作,芯片溫度25°C,外殼安裝在室溫散熱器上

參數

符號.

最小值.

典型值.

最大值.

單位

工作輸出功率

Pout

15

25


mW

平均波長(cháng)

λm

985

1000

1015

nm

帶寬 @ -3dB

Δλ

80

100


nm

譜傾角振幅



1

3

dB

基態(tài)最大位置

λg

1015

1030

1045

nm

激發(fā)態(tài)最大位置

λe

940

955

970

nm

ASE譜波紋*



0.02

0.3

dB

偏振消光比

PER

15

20


dB

操作電流

Iop


600

700

mA

正向電壓

Vf


1.7

1.9

V

上升時(shí)間

Trise


0.15


ns

下降時(shí)間

Tfall


0.5


ns

* RMS在1nm范圍在A(yíng)SE最大,10pm分辨率


典型性能僅供參考

測試條件:連續工作,芯片溫度25°C,外殼安裝在室溫散熱器上


360截圖20230417140331134.jpg



絕對最大額定參數

參數

最小值

最大值

單位

SLD 反向電壓

-

2

V

SLD 連續波正向電流

-

900

mA

熱電冷卻器電流

-

3

A

熱電冷卻器電壓

-

4

V

光纖彎曲半徑

3

-

cm

芯片工作溫度范圍

5

40

°C

外殼工作溫度

0

70

°C

存儲溫度范圍

-40

85

°C


熱敏電阻規格

光纖規格

參數

數值

單位

參數

HI1060

PM980

單位

熱敏電阻 典型

NTC

-

NA 典型

0.14

0.12


電阻 @25°C

10 ± 0.1

kOhm

截止波長(cháng)

920±50

900±70

nm

Beta 0-50°C

3375±1%

K

模場(chǎng)直徑@1060nm

6.2±0.3

6.6±0.3

μm

包層直徑 

125±1

125±1

μm

涂覆層直徑

245±15

245±15

μm

長(cháng)度(每個(gè)端口)

1.0 ± 0.1

m

接口

FC/APC(narrow key)


連接器對準熊貓型光纖:



輸出光沿PM光纖的慢軸偏振。


尺寸 (單位:毫米)


搜狗截圖20230417140659.png





通用參數

光纖耦合SLD典型參數

型號平均波長(cháng)頻寬FWHM輸出功率最大波長(cháng)頻譜下降

波紋,均方根值

Ripples RMS1
偏振消光比PER工作電流
nmnmmWnmdBdBdBmA
SLD-1000-100-YY-25100010025955, 103010.0220600
SLD-1030-120-YY-15103012015970, 105040.0220550
SLD-1030-20-YY-1501030201301030
0.0420800
SLD-1050-90-YY-35105090351050
0.220700
SLD-1060-20-YY-1501065251301060
0.0520800
SLD-1060-20-YY-3001060203001060
0.3201600
SLD-1064-20-YY-3501064203501164

18750
SLD-1080-30-YY-1001080301001080
0.0520800
SLD-1130-20-YY-30113027301125
0.0320300
SLD-1140-85-YY-111408511110, 117040.0520400
SLD-1190-90-YY-111909011160, 122550.0220300
SLD-1250-110-YY-5125011051210, 128060.0520800
SLD-1280-50-YY-112805011280
0.0220400

1– @ ASE 最大值,RMS 在 1 nm 范圍內,10pm 分辨率

780-1330 nm范圍內的任何定制波長(cháng)都是可能的。



波長(cháng)功率密度曲線(xiàn)


SLD_ASE_spectra.png


注意:

這種設備發(fā)出的光是看不見(jiàn)的,可能對人眼有害。設備運行時(shí),避免直視光纖連接器。在連接器打開(kāi)的情況下操作時(shí),必須佩戴合適的激光安全眼鏡。

絕對最大額定值只能在短時(shí)間內應用于設備。長(cháng)時(shí)間暴露于最大額定值或暴露于一個(gè)以上的最大額定值可能會(huì )導致設備損壞或影響設備的可靠性。在最大額定值之外操作設備可能會(huì )導致設備故障或安全隱患。必須使用與部件一起使用的電源,以確保不會(huì )超過(guò)最大正向電流。散熱器上的設備需要一個(gè)合適的散熱器。該裝置必須使用4個(gè)螺釘(以X型方式擰緊,初始扭矩設置為0.075Nm,最終X型螺栓擰緊為0.15Nm)或夾具安裝在散熱器上。散熱器表面的平面度偏差必須小于0.05mm。建議在外殼底部和散熱器之間使用銦箔或導熱軟材料作為熱接口。為此不希望使用導熱油脂避免設備背面反射。它可能會(huì )在頻譜和功率穩定性方面對設備性能產(chǎn)生影響。它也可能造成致命的關(guān)節面損傷。強烈建議使用光學(xué)隔離器來(lái)阻擋背面反射。




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