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簡(jiǎn)要描述：大光敏面銦鎵砷InGaAs APD芯片（高增益版 光敏直徑200um 最大增益50）大光敏面銦鎵砷InGaAs APD芯片（高增益版 光敏直徑200um 最大增益50）大光敏面銦鎵砷InGaAs APD芯片（高增益版 光敏直徑200um 最大增益50）
產(chǎn)品型號：廠(chǎng)商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2023-06-13訪(fǎng) 問(wèn) 量：805產(chǎn)品分類(lèi)
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| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類(lèi)別 | 光學(xué)元件 | 應用領(lǐng)域 | 綜合 |
| 參數 | 見(jiàn)參數表 |
高性能正照平面型結構的InGaAs APD 光電二極管芯片系列，具有高響應度、高增益、低暗電流、低噪聲和高可靠性等特點(diǎn)，可用于人眼安全激光雷達等領(lǐng)域?？商峁〢PD 裸芯、TO 封裝， 接受定制化服務(wù)開(kāi)發(fā)。產(chǎn)品符合Telcordia-GR-468-CORE 可靠性要求。
光譜響應范圍 0.9 ~1 .7 μm
光敏面直徑 200μm
高響應度、低暗電流
高可靠性
人眼安全激光雷達、激光測距
光時(shí)域反射計(OTDR)
空間光通信
儀器儀表
光纖傳感
使用注意事項
采取必要的ESD 防護措施，以避免靜電損傷
InP 基的芯片易碎，取用時(shí)應注意操作，推薦用真空吸附工具
芯片級光電參數
產(chǎn)品型號 | OVQT-A200M50 | |||||
參數 | 符號 | 單位 | 測量條件 | 最小 | 典型 | 最大 |
光敏面直徑 | Φ | μm | - | 200 | ||
單位增益響應度 | Re | A/W | λ = 1.55μm, Pin = 1 μW | 0.95 | 1.05 | - |
增益 | M | - | VR =VBR -3V | 10 | 18 | - |
最大增益 | Mmax | - | VR =VBR - 1V | 45 | 50 | - |
暗電流 | ID | A | VR =VBR -3V | - | 6.0 | 25 |
暗電流溫度系數 | ΔTID | /℃ | VR=VBR-3V ，-40℃ ~85℃ | - | - | 1.1 |
電容 | Ct | F | VR =VBR-3V, f=1MHz | - | 2.0 | 2.5 |
-3dB 帶寬 | f-3dB | GHz | M=10, RL=50Ω | 0.4 | 1.4 | - |
反向擊穿電壓 | VBR | V | ID = 10μA | 30 | 42 | 80 |
擊穿電壓溫度系數 | ? | V/°C | -40 ~ +85°C | 0.1 | - | 0.15 |
最大絕對額定值
參數 | 符號 | 額定值 | 單位 |
反向電流 | IR | 2 | mA |
正向電流 | IF | 10 | mA |
工作溫度 | Tc | -40 ~ +85 | ℃ |
存儲溫度 | Tstg | -55 ~ +125 | ℃ |
典型特性曲線(xiàn)
芯片尺寸及結構圖 um
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