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  • 1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT兩級TE冷卻光電導探測器 PCI-2TE系列 TO8
    1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT兩級TE冷卻光電導探測器 PCI-2TE系列 TO8

    筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器

    更新時(shí)間:2022-11-10型號:訪(fǎng)問(wèn)量:716
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  • 中紅外非冷卻多結光伏MCT多通道象限探測器  PVMQ 2-12μm
    中紅外非冷卻多結光伏MCT多通道象限探測器 PVMQ 2-12μm

    中紅外非冷卻多結光伏MCT多通道象限探測器 PVMQ 2-12μm PVMQ是基于復雜的HgCdTe異質(zhì)結構的非冷卻紅外多結光伏象限探測器,具有優(yōu)秀的性能和穩定性。象限探測器由四個(gè)獨立的有源元件組成,它們排列在一個(gè)象限幾何圖形中。

    更新時(shí)間:2022-09-08型號:訪(fǎng)問(wèn)量:748
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  • 1-12μm中紅外非冷卻 光電導型 MCT象限探測器 PCQ
    1-12μm中紅外非冷卻 光電導型 MCT象限探測器 PCQ

    1-12μm中紅外非冷卻 光電導型 MCT象限探測器 PCQ PCQ是基于復雜的HgCdTe異質(zhì)結構的非冷卻紅外光導象限探測器,具有極的性能和穩定性。象限探測器由四個(gè)獨立的有源元件組成,它們排列在一個(gè)象限幾何圖形中。

    更新時(shí)間:2022-09-08型號:訪(fǎng)問(wèn)量:944
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  • 10.6um碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測器 無(wú)制冷 室溫使用
    10.6um碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測器 無(wú)制冷 室溫使用

    10.6um碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測器 無(wú)制冷 室溫使用是一種熱電冷卻光電導HgCdTe(碲鎘汞,MCT)探測器。這種材料對2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。半導體制冷片(TEC)采用一個(gè)熱敏電阻反饋電路對探測器元件的溫度控制在-30 &amp;amp;amp;#176;C,從而將熱變化對輸出信號的影響最小化

    更新時(shí)間:2022-09-08型號:訪(fǎng)問(wèn)量:1253
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  • 7.6μm碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測器,帶放大,帶TEC
    7.6μm碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測器,帶放大,帶TEC

    7.6μm碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測器,帶放大,帶TEC MCT-15-4TE放大探測器是一種熱電冷卻光電導HgCdTe(碲鎘汞,MCT)探測器。這種材料對2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。半導體制冷片(TEC)采用一個(gè)熱敏電阻反饋電路對探測器元件的溫度控制在-30 &amp;#176;C,從而將熱變化對輸出信號的影響最小化

    更新時(shí)間:2022-09-08型號:訪(fǎng)問(wèn)量:1291
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  • 10.6μm碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測器,帶放大,帶TEC
    10.6μm碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測器,帶放大,帶TEC

    10.6μm碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測器,帶放大,帶TEC MCT-15-4TE放大探測器是一種熱電冷卻光電導HgCdTe(碲鎘汞,MCT)探測器。這種材料對2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。半導體制冷片(TEC)采用一個(gè)熱敏電阻反饋電路對探測器元件的溫度控制在-30 °C,從而將熱變化對輸出信號的影響最小化

    更新時(shí)間:2022-09-08型號:訪(fǎng)問(wèn)量:1500
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  • 非冷卻 光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEM系列
    非冷卻 光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEM系列

    非冷卻 光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEM系列LabM-I-10.6是一款實(shí)驗室紅外檢測模塊。它是基于MCT異質(zhì)結構的光浸沒(méi)光伏探測器,集成了跨阻、可編程前置放大器。

    更新時(shí)間:2022-09-08型號:訪(fǎng)問(wèn)量:780
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  • 非冷卻 光學(xué)浸沒(méi) 光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEMI系列
    非冷卻 光學(xué)浸沒(méi) 光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEMI系列

    非冷卻 光學(xué)浸沒(méi) 光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEMI系列 PEMI系列是一款基于光電磁效應的MCT紅外光伏探測器,并且采用光學(xué)浸沒(méi)的方式提高探測器的性能。光入射會(huì )使探測器內部半導體產(chǎn)生的電子空穴對在磁場(chǎng)的作用下移動(dòng)

    更新時(shí)間:2022-09-08型號:訪(fǎng)問(wèn)量:722
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