850±10nm單模VCSEL激光器：中心波長(cháng) 850nm；波長(cháng)偏差 ±10nm；輸出功率 1mw；TO46封裝；自由空間輸出；不帶TEC

760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）具有出光功率高，線(xiàn)寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點(diǎn),2nm調諧范圍,專(zhuān)為可調諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）應用而設計,內置防靜電（ESD）保護.

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱(chēng)VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。有源區有量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作

795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長(cháng) λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm

Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線(xiàn)寬窄以及良好的一致性目前深受?chē)鴥瓤蒲锌蛻?hù)青睞。目前我們現有庫存波長(cháng)760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線(xiàn)寬窄以及良好的一致性目前深受?chē)鴥瓤蒲锌蛻?hù)青睞。目前我們現有庫存波長(cháng)760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

筱曉光子的新款1654nm VCSEL激光器中應用了新發(fā)明的高對比度光柵層(HCG)，HCG比傳統的分布布拉格反射鏡（DBR）薄約50倍，但具有更高的反射率和更寬的光譜寬度。我們的這款激光器具有高達8nm的調諧范圍，調諧頻率可達100kHz,是測試CH4氣體的理想選擇。

850nm蝶形高速調制單模 VCSEL激光器：LD-PD INC借經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光學(xué)特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創(chuàng )新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時(shí)具有線(xiàn)性偏振穩定性。