Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線(xiàn)寬窄以及良好的一致性目前深受?chē)鴥瓤蒲锌蛻?hù)青睞。目前我們現有庫存波長(cháng)760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）具有出光功率高，線(xiàn)寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點(diǎn),2nm調諧范圍,專(zhuān)為可調諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）應用而設計,內置防靜電（ESD）保護。

760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL具有出光功率高，線(xiàn)寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點(diǎn),2nm調諧范圍,專(zhuān)為可調諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）應用而設計,內置防靜電（ESD）保護.

894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs：以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。

1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW：以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。

795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips具有出光功率高，線(xiàn)寬窄以及良好的一致性目前深受?chē)鴥瓤蒲锌蛻?hù)青睞。目前我們現有庫存波長(cháng)760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

760nm 單模VCSEL激光器 1mw Philips：Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線(xiàn)寬窄以及良好的一致性目前深受?chē)鴥瓤蒲锌蛻?hù)青睞。目前我們現有庫存波長(cháng)760nm、764nm激光器， 760nm用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

850±10nm單模VCSEL激光器：Philips借經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光學(xué)特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創(chuàng )新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時(shí)具有線(xiàn)性偏振穩定性。