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當前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品展示  >  光電探測器  >  MCT碲鎘汞探測器

  • 中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器
    中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器

    2-12μm 中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器, 帶TEC ,PV-3TE系列是基于復雜的MCT異質(zhì)結構的三級熱電冷卻紅外光電探測器,具有好的性能和穩定性。探測器在λopt時(shí)達到好性能。起始波長(cháng)可根據需要進(jìn)行優(yōu)化。

    更新時(shí)間:2023-06-29型號:訪(fǎng)問(wèn)量:651
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  • 中紅外非制冷光電探測器
    中紅外非制冷光電探測器

    2.5-6.5μm MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測器 PVI系列是基于復雜的MCT異質(zhì)結構的非制冷紅外光電探測器,采用光學(xué)浸沒(méi)的方式提高器件的性能參數,使其具有好的性能和穩定性。器件在λ_opt時(shí)達到好性能。

    更新時(shí)間:2022-08-08型號:訪(fǎng)問(wèn)量:595
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  • 3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器
    3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器

    3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時(shí)達到好性能。波長(cháng)分割可根據需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著(zhù)提高響應速度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)提高高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會(huì )降低探測器的性能。

    更新時(shí)間:2022-08-08型號:訪(fǎng)問(wèn)量:606
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  • MCT-PEMI-10.6-2×22-12μmMCT 光浸式紅外非冷卻光電磁探測器
    MCT-PEMI-10.6-2×22-12μmMCT 光浸式紅外非冷卻光電磁探測器

    光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm處探測性能最佳,是一款特別適用于探測連續波和低頻調制輻射的大感光面探測器。這款探測器被安裝在內部含有磁性電路的特殊包裝中。3°楔形硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗戶(hù),可以防止不必要的干擾影響和污染。

    更新時(shí)間:2022-08-08型號:MCT-PEMI-10.6-2×2訪(fǎng)問(wèn)量:529
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  • MCT四級TE冷卻光電導探測器
    MCT四級TE冷卻光電導探測器

    1-16μm 中紅外光浸沒(méi)式MCT四級TE冷卻光電導探測器 PCI-4TE系列截止波長(cháng)受GaAs透過(guò)率(~0.9 μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時(shí)探測器性能降低。

    更新時(shí)間:2023-06-29型號:訪(fǎng)問(wèn)量:596
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  • 三級TE冷卻光電導探測器
    三級TE冷卻光電導探測器

    1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT三級TE冷卻光電導探測器 PCI-3TE系列應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時(shí)探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(cháng)增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應。

    更新時(shí)間:2023-06-29型號:訪(fǎng)問(wèn)量:690
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  • 2-12μm , MCT中紅外非冷卻多結光伏探測器
    2-12μm , MCT中紅外非冷卻多結光伏探測器

    2-12μm , MCT中紅外非冷卻多結光伏探測器 PVM-2TE系列在2 ~ 12 μm光譜范圍內工作的大型有源區域探測器中效率很高。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應。

    更新時(shí)間:2023-06-29型號:訪(fǎng)問(wèn)量:530
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  • 1-15μm MCT中紅外光電導探測器
    1-15μm MCT中紅外光電導探測器

    1-15μm MCT中紅外光電導探測器, 三級熱電冷卻 PC-3TE系列是基于復雜的MCT異質(zhì)結構的三級熱電冷卻紅外光電導探測器,具有好的性能和穩定性。器件在λopt時(shí)達到最佳性能。

    更新時(shí)間:2023-06-29型號:訪(fǎng)問(wèn)量:636
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