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  • 905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46)
    905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46)

    905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46) 硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應波長(cháng)905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。

    更新時(shí)間:2022-09-15型號:訪(fǎng)問(wèn)量:748
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  • 硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46)
    硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46)

    硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46)硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應波長(cháng)905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。

    更新時(shí)間:2022-10-25型號:訪(fǎng)問(wèn)量:733
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  • 硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46)
    硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46)

    硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46)硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應波長(cháng)905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。

    更新時(shí)間:2022-10-25型號:訪(fǎng)問(wèn)量:707
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  • 硅 Si 雪崩光電二極管 905nm  (400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3)
    硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3)

    硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3) 硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應波長(cháng)905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。

    更新時(shí)間:2022-10-25型號:訪(fǎng)問(wèn)量:627
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  • 硅 Si 雪崩光電二極管 905nm  (400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3)
    硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3)

    硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3) 硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應波長(cháng)905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。

    更新時(shí)間:2022-10-25型號:訪(fǎng)問(wèn)量:630
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  • 2mm SI光電探測器
    2mm SI光電探測器

    2mm SI光電探測器 器件為硅PIN 光電二極管,在反向偏置條件下工作。峰值波長(cháng)在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間:2022-09-14型號:訪(fǎng)問(wèn)量:574
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  • 超快SI光電探測器,光敏面直徑0.2mm
    超快SI光電探測器,光敏面直徑0.2mm

    超快SI光電探測器,光敏面直徑0.2mm 器件為硅PIN 光電二極管,在反向偏置條件下工作。峰值波長(cháng)在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間:2022-09-14型號:訪(fǎng)問(wèn)量:572
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  • MP-Si-02-ADP法蘭式SI光電探測器 光敏面積200um
    MP-Si-02-ADP法蘭式SI光電探測器 光敏面積200um

    法蘭式SI光電探測器 光敏面積200um 器件為硅PIN 光電二極管,在反向偏置條件下工作。峰值波長(cháng)在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm

    更新時(shí)間:2024-05-15型號:MP-Si-02-ADP訪(fǎng)問(wèn)量:573
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