硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點(diǎn)，可以有效的減少信號的共模噪聲，提高系統的信噪比。

SI硅光電探測器模塊320-1100nm 直徑 1.2mm C3A系列光電檢測模塊將光電二極管，放大電路和電源調理電路集成在一個(gè)小型化的模塊內。不僅適用于各種實(shí)驗室光學(xué)系統的搭建，也適用于在用戶(hù)產(chǎn)品中進(jìn)行集成

硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過(guò)施加反向電壓產(chǎn)生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時(shí)間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專(zhuān)為方便使用 Si APD 而設計。

美國EOT - 硅光電探測器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降時(shí)間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 響應度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１１８ＭＨｚ； 有效面積直徑：２．５５ｍｍ； 輸出連接：BNC

8mm大光敏面硅（Si）硅光電探測器在反向偏置條件下工作。峰值波長(cháng)在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。

16mm四象限Si光電探測器SIQ1600：器件是N型硅象限探測器，當光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當目標發(fā)生偏移時(shí)，由于象限間輻射通量的變化，引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化，由此可測出物體的方位，從而起到跟蹤、制導的作用。 16mm四象限Si光電探測器/N型硅象限探測器 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W