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便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng),從而扭曲光電二極管的時域響應(yīng)。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔 半導(dǎo)體激光二極管。 超大光敏面 銦鎵砷(InGaAs)PIN結(jié)二極管(PD) 光電二極管(10mm)近紅外波長
APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。 銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊
四象限捕獲光電探測接收模塊 1000-1650nm采用正照型四象限光電探測器與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。其四個電壓輸出端P1、P2、P3、P4分別對應(yīng)于器件中探測器的四個象限,當(dāng)探測器的四個象限接收的光強變化時,器件的四個電壓輸出端的電壓也會隨之線性變化。
16mm四象限Si光電探測器SIQ1600:器件是N型硅象限探測器,當(dāng)光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時,則各個象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標發(fā)生偏移時,由于象限間輻射通量的變化,引起各個象限的輸出光電流的變化,由此可測出物體的方位,從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。 16mm四象限Si光電探測器/N型硅象限探測器 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W
InGaAs單光子陣列探測器組件 950~1650nm在蓋革工作模式下,探測器組件各像元獨立、自由運行,探測0.95 ~ 1.65 μ m的近紅外波段范圍內(nèi)微弱光信號,實時輸出TTL電信號。
InGaAs光電平衡探測器 800-1700nm 響應(yīng)度 0.95@1550nm具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點,可以有效的減少信號的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。
InGaAs雪崩光電探測器 800-1700nm 100*100*25mm 響應(yīng)度 9A/W具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點。